PDTC114EM،315
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) الترانزستورات الثنائية القطبية الأحا
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
100 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
NPN - منحازة مسبقًا
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
مسلسل:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
150 مللي فولت عند 500 ميكرو أمبير، 10 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سوت -883
المقاوم - القاعدة (R1):
10 كيلو أوم
مفر:
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
10 كيلو أوم
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1µ أ
أقصى القوة:
250 ميغاواط
الحزمة / الحقيبة:
SC-101 ، سوت -883
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
30 @ 5 مللي أمبير، 5 فولت
رقم المنتج الأساسي:
بي دي تي سي114
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 mW محيز مسبقًا سطح سطح SOT-883
العلامات:
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: