DTD123TCT116
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) الترانزستورات الثنائية القطبية الأحا
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
500 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
NPN - منحازة مسبقًا
نوع التثبيت:
جبل السطح
التردد - الانتقال:
200 ميغاهرتز
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
مسلسل:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
300 مللي فولت @ 2.5 مللي أمبير ، 50 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
40 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SST3
المقاوم - القاعدة (R1):
2.2 كيلو أوم
مفر:
سيمي الموصلات
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA (ICBO)
أقصى القوة:
200 ميغاواط
الحزمة / الحقيبة:
TO-236-3 ، SC-59 ، SOT-23-3
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
100 @ 50 مللي أمبير، 5 فولت
رقم المنتج الأساسي:
دتد123
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) NPN - محيز مسبقًا 40 V 500 mA 200 MHz 200 mW سطح الصعود SST3
العلامات:
أجهزة أشباه الموصلات المنفصلة
أرسل RFQ
الأسهم:
In Stock
الـ MOQ: